改善硬掩膜刻蚀后均匀性的方法

专利号：CN202210702730.0

公布日：2022-08-30

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

MRAM器件的制造方法

专利号：CN201910407222.8

公布日：2023-04-07

申请人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司

半导体器件及其形成方法

专利号：CN201910155832.3

公布日：2023-05-26

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法

专利号：CN201110296996.1

公布日：2013-04-03

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

用于制造半导体集成电路器件的方法

专利号：CN200710148554.6

公布日：2008-03-05

申请人：三星电子株式会社

制作接触孔的方法

专利号：CN201010022612.2

公布日：2011-07-13

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

用以形成柱掩膜元件的多重图案化制程

专利号：CN201710770107.8

公布日：2021-06-29

申请人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

一种刻蚀方法

专利号：CN202010151349.0

公布日：2020-07-07

申请人：长江存储科技有限责任公司

一种改善沟槽刻蚀导致晶圆毛边的方法

专利号：CN202110447798.4

公布日：2022-12-23

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

半导体互连结构的制作方法

专利号：CN201310285574.3

公布日：2017-10-27

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体器件的制造方法

专利号：CN201811244555.5

公布日：2020-05-01

申请人：中电海康集团有限公司

半导体结构的形成方法

专利号：CN201510875812.5

公布日：2019-07-30

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202010018857.1

公布日：2022-11-11

申请人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种制作栅极的方法

专利号：CN201010503709.5

公布日：2012-05-09

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜

专利号：CN201110334644.0

公布日：2013-05-08

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司